在線客服
快速發(fā)布
我的店鋪
我的化學(xué)加
我的消息
我要充值
回到頂部
買產(chǎn)品
克難題
技術(shù)供需
求職招聘
發(fā)定制
項(xiàng)目整合
園區(qū)推薦
行業(yè)資訊
化學(xué)加智庫(kù)
商家
買產(chǎn)品
克難題
技術(shù)供需
求職招聘
發(fā)定制
項(xiàng)目整合
園區(qū)推薦
行業(yè)資訊
化學(xué)加智庫(kù)
商家
有鑒于此，該團(tuán)隊(duì)將此策略應(yīng)用到新光電子器件的制備上，組裝出了全范德瓦爾斯石墨烯/AgBiP2Se6/石墨烯垂直異質(zhì)結(jié)光電子探測(cè)器，并通過應(yīng)用高偏置電壓引入缺陷態(tài)（trap state）的方式，國(guó)際上率先實(shí)現(xiàn)了高負(fù)光電導(dǎo)響應(yīng)的光電子探測(cè)器件，器件負(fù)光電響應(yīng)度達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的4.9 × 105 A/W。同時(shí)，該器件還表現(xiàn)出了優(yōu)異的綜合光電性能，包括：1.3 × 108 %的高外量子效率（EQE）和 3.60 × 1012 Jones的高光電探測(cè)率。該工作中提出的縮短載流子傳輸通道長(zhǎng)度與高偏壓誘導(dǎo)缺陷態(tài)策略，將為設(shè)計(jì)實(shí)用性高負(fù)光電導(dǎo)探測(cè)器件指明道路，有望應(yīng)用于多功能光電集成芯片設(shè)計(jì)中。
相關(guān)成果以“Giant Negative Photoresponse in van der Waals Graphene/AgBiP2Se6 /Graphene Trilayer Heterostructures”為題發(fā)表在國(guó)際材料頂級(jí)期刊Advanced Materials上（Advanced Materials, 2024, DOI:10.1002/adma.202312541），第一作者：何偉（20級(jí)碩士研究生）和伍棟（21級(jí)碩士研究生），通訊作者：于鵬副教授。中山大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院為論文第一完成單位。楊國(guó)偉教授對(duì)本工作的完成給予了重要的指導(dǎo)。該研究工作受到國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃，國(guó)家自然科學(xué)基金、廣東省自然科學(xué)基金以及光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室重點(diǎn)培育基金的大力支持。
論文鏈接：
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202312541
聲明：化學(xué)加刊發(fā)或者轉(zhuǎn)載此文只是出于傳遞、分享更多信息之目的，并不意味認(rèn)同其觀點(diǎn)或證實(shí)其描述。若有來源標(biāo)注錯(cuò)誤或侵犯了您的合法權(quán)益，請(qǐng)作者持權(quán)屬證明與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將及時(shí)更正、刪除，謝謝。 電話：18676881059，郵箱：gongjian@huaxuejia.cn
